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차세대 디스플레이 페로브스카이트 합성 신기술 개발

차세대 디스플레이 핵심 소재인 페로브스카이트 발광다이오드(PeLED)를 대량 생산하는 합성 신기술이 개발됐습니다. 과학기술정보통신부는 이태우 서울대 재료공학부 교수 연구팀이 페로브스카이트 나노결정을 발광효율 100%를 유지하면서도 대량 생산할 수 있는 새로운 합성법 개발에 성공했다고 오늘(19일) 밝혔습니다. 서울대 김성진 박사와 김선아 석박사통합과정생이 1저자로 참여한 이번 연구 결과는 최고 권위 국제학술지 네이처에 발표됐습니다. 페로브스카이트는 유기발광다이오드(OLED)와 양자점발광다이오드(QLED)를 뛰어넘는 발광 성능을 가졌습니다. 이는 초고해상도 TV나 증강현실, 가상현실 등 차세대 디스플레이 소재로 주목받고 있습니다. 기존 합성법은 150도 이상 고온 용액에 소재를 주입하는 '핫 인젝션' 기술이 주로 쓰였습니다. 그러나 높은 온도와 급격한 온도 강하로 인한 화재와 폭발 위험이 있고 산소와 수분을 차단하기 위한 특수 설비도 필수적이었습니다. 연구팀은 0도 수준 낮은 온도로 냉각한 리간드 용액에 페로브스카이트 전구체 용액을 주입해 유사 유화(pseudo-emulsion) 상태로 만든 뒤 합성하는 저온 주입하는 기술을 개발했습니다. 이는 페로브스카이트 나노 결정 합성 속도를 제어해 결함이 생기는 걸 막아 100% 발광 효율을 가진 고품질 나노 결정을 대량 생산하는 기술입니다. 또 20L 이상 대량 생산에서도 발광 효율이 저하되지 않습니다. 이태우 교수팀은 지난 10여 년간 LED 분야를 연구해 왔습니다. 지난달 16일에는 페로브스카이트 안전성을 높인 계층형 셀 구조를 사이언스에, 기계적 변형에도 발광 손실이 없는 OLED를 네이처에 각각 발표했습니다. 이 교수는 "페로브스카이트는 다른 재료들이 확보할 수 없는 초고화질(UHD) 기준인 'Rec.2020'을 100% 만족할 수 있어 차별성이 존재한다"며 "값비싼 희귀 금속을 쓰지 않고 카드뮴 이용에 따른 환경규제도 피해 갈 수 있다"고 밝혔습니다.[사진 출처 : 연합뉴스 / 이+